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杏彩体育:安世半导体推出新款600 V单管IGBT
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
设计人员可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器，整流器及双向变换电路应用，在过流条件下更加稳健。
Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块业务部门总经理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通过发布IGBT，为设计人员提供了更多的电源开关器件选择，以满足广泛的电源应用需求。IGBT是对Nexperia现有的CMOS和宽带隙开关器件系列产品的理想补充，Nexperia由此可为功率电子设计师提供一站式服务。”
这些IGBT采用无铅TO247-3L标准封装，并通过严苛的HV-H3TRB质量标准，适合室外应用。Nexperia计划在本次产品发布后将推出1200 V IGBT系列器件。
Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
原文标题：新品快讯 Nexperia （安世半导体）推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
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是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的
，可在电源应用中实现出色效率 /
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