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杏彩体育:纳微GaNSense™ Control芯片：更高效
自氮化镓进军快充市场以来，不过短短几年时间，其凭借着极高的电能转换效率和优秀的高频特性，使得采用氮化镓功率芯片的充电器，
为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及率。
GaNSense Control合封氮化镓功率芯片系列将下一代氮化镓 (GaN) 电源与高频控制功能相结合。与友商不同，GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。
全面、易于使用的合封和分立解决方案组合为电源设计人员提供了极大的灵活性。带有 GaNSense 功率 IC 的 NV958x 高频准谐振 (HFQR) 反激式支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式操作。82 至 225 kHz 的频率选择为平面或绕线变压器提供了灵活的设计，提供了高效、最紧凑的充电器解决方案。在副边，与传统整流器相比， NV97xx 同步整流 (SR) 可在任何负载条件下提供最高效率。
GaNSense Control合封氮化镓功率芯片可实现最高频率运行，以最大限度地减小系统尺寸和重量。无损耗电流检测、高压启动和消除 VDD 电感器等集成功能减少了器件数量并提高了系统效率。纳微的GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有高达 800 V的瞬态电压击穿和无电流采样电阻热点，以最小的外形提供一流的效率。
请参阅GaNFast 功率 IC 产品手册或者浏览可获得GaNSense 功率IC的完整产品信息。
