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杏彩体育:IGBT的工作原理

  他是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
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  他是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有()金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点,使得其有驱动功率小而饱和压降低的特点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流

  EasyPIM 2B 1200 V,25A逆导型 PIM IGBT 模块,采用快速 TRENCHSTOP IGBT4、发射极控制二极管和温度检测NTC。也适用于热界面材料。集成了整流器和制动斩波器的 PIM(功率集成模块)可节省系统成本。

  其可应用在电机控制和驱动、医疗应用/卫生保健、空调系统、不间断电源(UPS)、(H)EV -ACDC(充电器)、太阳能系统(光伏逆变器)等领域!

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  的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而

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